1. <menuitem id="m63kj"></menuitem>
        <tbody id="m63kj"><div id="m63kj"></div></tbody>
        <bdo id="m63kj"></bdo>
      2. <tbody id="m63kj"><div id="m63kj"></div></tbody>
        1. <menuitem id="m63kj"><dfn id="m63kj"><delect id="m63kj"></delect></dfn></menuitem>
            您當前所在位置: 首頁 > 首發論文
            動態公開評議須知

            1. 評議人本著自愿的原則,秉持科學嚴謹的態度,從論文的科學性、創新性、表述性等方面給予客觀公正的學術評價,亦可對研究提出改進方案或下一步發展的建議。

            2. 論文若有勘誤表、修改稿等更新的版本,建議評議人針對最新版本的論文進行同行評議。

            3. 每位評議人對每篇論文有且僅有一次評議機會,評議結果將完全公示于網站上,一旦發布,不可更改、不可撤回,因此,在給予評議時請慎重考慮,認真對待,準確表述。

            4. 同行評議僅限于學術范圍內的合理討論,評議人需承諾此次評議不存在利益往來、同行競爭、學術偏見等行為,不可進行任何人身攻擊或惡意評價,一旦發現有不當評議的行為,評議結果將被撤銷,并收回評審人的權限,此外,本站將保留追究責任的權利。

            5. 論文所展示的星級為綜合評定結果,是根據多位評議人的同行評議結果進行綜合計算而得出的。

            勘誤表

            上傳勘誤表說明

            • 1. 請按本站示例的“勘誤表格式”要求,在文本框中編寫勘誤表;
            • 2. 本站只保留一版勘誤表,每重新上傳一次,即會覆蓋之前的版本;
            • 3. 本站只針對原稿進行勘誤,修改稿發布后,不可對原稿及修改稿再作勘誤。

            示例:

            勘誤表

            上傳勘誤表說明

            • 1. 請按本站示例的“勘誤表格式”要求,在文本框中編寫勘誤表;
            • 2. 本站只保留一版勘誤表,每重新上傳一次,即會覆蓋之前的版本;
            • 3. 本站只針對原稿進行勘誤,修改稿發布后,不可對原稿及修改稿再作勘誤。

            示例:

            上傳后印本

            ( 請提交PDF文檔 )

            * 后印本是指作者提交給期刊的預印本,經過同行評議和期刊的編輯后發表在正式期刊上的論文版本。作者自愿上傳,上傳前請查詢出版商所允許的延緩公示的政策,若因此產生糾紛,本站概不負責。

            發郵件給 王小芳 *

            收件人:

            收件人郵箱:

            發件人郵箱:

            發送內容:

            0/300

            論文收錄信息

            論文編號 202109-79
            論文題目 石墨烯/硅異質結的太赫茲轉直流電導機理
            文獻類型
            收錄
            期刊

            上傳封面

            期刊名稱(中文)

            期刊名稱(英文)

            年, 卷(

            上傳封面

            書名(中文)

            書名(英文)

            出版地

            出版社

            出版年

            上傳封面

            書名(中文)

            書名(英文)

            出版地

            出版社

            出版年

            上傳封面

            編者.論文集名稱(中文) [c].

            出版地 出版社 出版年, -

            編者.論文集名稱(英文) [c].

            出版地出版社 出版年,-

            上傳封面

            期刊名稱(中文)

            期刊名稱(英文)

            日期--

            在線地址http://

            上傳封面

            文題(中文)

            文題(英文)

            出版地

            出版社,出版日期--

            上傳封面

            文題(中文)

            文題(英文)

            出版地

            出版社,出版日期--

            英文作者寫法:

            中外文作者均姓前名后,姓大寫,名的第一個字母大寫,姓全稱寫出,名可只寫第一個字母,其后不加實心圓點“.”,

            作者之間用逗號“,”分隔,最后為實心圓點“.”,

            示例1:原姓名寫法:Albert Einstein,編入參考文獻時寫法:Einstein A.

            示例2:原姓名寫法:李時珍;編入參考文獻時寫法:LI S Z.

            示例3:YELLAND R L,JONES S C,EASTON K S,et al.

            上傳修改稿說明:

            1.修改稿的作者順序及單位須與原文一致;

            2.修改稿上傳成功后,請勿上傳相同內容的論文;

            3.修改稿中必須要有相應的修改標記,如高亮修改內容,添加文字說明等,否則將作退稿處理。

            4.請選擇DOC或Latex中的一種文件格式上傳。

            上傳doc論文   請上傳模板編輯的DOC文件

            上傳latex論文

            * 上傳模板導出的pdf論文文件(須含頁眉)

            * 上傳模板編輯的tex文件

            回復成功!


            • 0

            Mechanism of THz to DC conductivity in graphene/ silicon heterostructure

            首發時間:2021-09-30

            Liu yu'an 1   

            liu yu'an(1980),male,lecturer,Microelectronic device

            luo wenlang 1   

            luowenlang(1967),male,professor,Microelectronic device

            • 1、Jinggangshan University Ji 'an 343009

            Abstract:The microscopic mechanism of THz to DC conductance of graphene/silicon heterostructure is analyzed. It is found that the linear part of the DC conductance is due to the intraband contribution of grapheme, and the nonlinear part is due to the electric field-induced optical rectification effect and Exciton Valley Hall effect. The carrier transport model of graphene/silicon heterostructure is established, and the experimental results are in agreement well with the hypothetical model. It provides a theoretical basis and ideas for developing a new low cost passive device of THz to DC conductance.

            keywords: Graphene/Silicon heterostructure Terahertz to DC Nonlinear conductance

            點擊查看論文中文信息

            石墨烯/硅異質結的太赫茲轉直流電導機理

            劉宇安 1   

            liu yu'an(1980),male,lecturer,Microelectronic device

            羅文浪 1   

            luowenlang(1967),male,professor,Microelectronic device

            • 1、井岡山大學電子與信息工程學院 吉安 343009

            摘要:本文分析了石墨烯/硅異質結構的太赫茲轉直流電導的微觀機理。發現其直流電導的線性部分源于石墨烯的帶內隧穿,非線性部分源于電場感應極化效應和激子谷霍爾效應。建立了石墨烯/硅異質結構載流子輸運模型,實驗結果與理論模型一致。本文結論為開發一種新的低成本太赫茲轉直流電導無源器件提供了理論基礎和思路。

            關鍵詞: 石墨烯/硅異質結構 ;太赫茲轉直流 ; 非線性電導

            點擊收起

            論文圖表:

            引用

            導出參考文獻

            .txt .ris .doc
            Liu yu'an,luo wenlang. Mechanism of THz to DC conductivity in graphene/ silicon heterostructure[EB/OL]. Beijing:Sciencepaper Online[2021-09-30]. http://www.fightingvitiligo.com/releasepaper/content/202109-79.

            No.****

            動態公開評議

            共計0人參與

            動態評論進行中

            評論

            全部評論

            0/1000

            勘誤表

            石墨烯/硅異質結的太赫茲轉直流電導機理

            少妇人妻好深太紧了